SLF8N60C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SLF8N60C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SLF8N60C datasheet

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SLF8N60C

SLP8N60C / SLF8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7.5A, 600V, RDS(on) typ. = 1.0 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

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SLF8N60C

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SLF8N60C

SLP8N65C/SLF8N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.2 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 29nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching p

Otros transistores... SLP7N70C, SLF7N70C, SLP7N80C, SLF7N80C, SLP80R240SJ, SLF80R240SJ, SLB80R240SJ, SLP8N60C, STP80NF70, SLP8N65C, SLF8N65C, SLW18N50C, SLW20N50C, SLW24N50C, SLH24N50C, SLW9N90C, LBSS84LT1G