SLW24N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLW24N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 96 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
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SLW24N50C Datasheet (PDF)
slw24n50c.pdf
SLW24N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 25A, 500V, RDS(on)typ. = 167m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingperformanc
slw24n50c slh24n50c.pdf
LEAD FREEPbRoHSSLW24N50C/SLH24N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 24A, 500V, RDS(on) = 0.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching -
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Liste
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