SLW24N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SLW24N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 320 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 96 nC
Tiempo de subida (tr): 80.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 440 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
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SLW24N50C Datasheet (PDF)
slw24n50c.pdf
SLW24N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 25A, 500V, RDS(on)typ. = 167m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingperformanc
slw24n50c slh24n50c.pdf
LEAD FREEPbRoHSSLW24N50C/SLH24N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 24A, 500V, RDS(on) = 0.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching -
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