SLW24N50C Todos los transistores

 

SLW24N50C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SLW24N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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SLW24N50C datasheet

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SLW24N50C

SLW24N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 25A, 500V, RDS(on)typ. = 167m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performanc

 ..2. Size:1261K  maple semi
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SLW24N50C

LEAD FREE Pb RoHS SLW24N50C/SLH24N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 24A, 500V, RDS(on) = 0.2 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching -

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