Справочник MOSFET. SLW24N50C

 

SLW24N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLW24N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для SLW24N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLW24N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:959K  maple semi
 slw24n50c.pdf pdf_icon

SLW24N50C

SLW24N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 25A, 500V, RDS(on)typ. = 167m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switchingperformanc

 ..2. Size:1261K  maple semi
 slw24n50c slh24n50c.pdf pdf_icon

SLW24N50C

LEAD FREEPbRoHSSLW24N50C/SLH24N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 24A, 500V, RDS(on) = 0.2@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 96nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching -

Другие MOSFET... SLF80R240SJ , SLB80R240SJ , SLP8N60C , SLF8N60C , SLP8N65C , SLF8N65C , SLW18N50C , SLW20N50C , 10N65 , SLH24N50C , SLW9N90C , LBSS84LT1G , S-LBSS84LT1G , LBSS84WT1G , S-LBSS84WT1G , LN2302BLT1G , S-LN2302BLT1G .

History: 2SK612-Z | GP1M018A020XX | LSD60R1K4HT | 2SK382 | CES2308 | AO4718 | P0903BDA

 

 
Back to Top

 


 
.