S-LN2302BLT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: S-LN2302BLT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: SOT23

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S-LN2302BLT1G datasheet

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S-LN2302BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON) 85m @VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON) 115m @VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON) 135m @VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 1 2 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re

 7.1. Size:450K  lrc
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S-LN2302BLT1G

LN2306LT1G S-LN2306LT1G 30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 1. FEATURES VDS= 30V RDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43m RDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62m SOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- prefix for automotive and other applications requiring

 8.1. Size:690K  lrc
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S-LN2302BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1G RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1G RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3 Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1 we declare that the material of product 2 compliance with RoHS requirements. SOT 23 (TO 236AB)

Otros transistores... SLW24N50C, SLH24N50C, SLW9N90C, LBSS84LT1G, S-LBSS84LT1G, LBSS84WT1G, S-LBSS84WT1G, LN2302BLT1G, AO3407, LN2302LT1G, LN2306LT1G, S-LN2306LT1G, LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, LN4501LT1G