Справочник MOSFET. S-LN2302BLT1G

 

S-LN2302BLT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: S-LN2302BLT1G
   Маркировка: 02B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для S-LN2302BLT1G

 

 

S-LN2302BLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:316K  lrc
 ln2302blt1g s-ln2302blt1g.pdf

S-LN2302BLT1G S-LN2302BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET FEATURES RDS(ON)85m@VGS=4.5V LN2302BLT1G RDS(ON)115m@VGS=2.5V S-LN2302BLT1G RDS(ON)135m@VGS=1.8V 3 Super high density cell design for extremely low RDS(ON) Exceptional on-resistance and maximum DC current capability 12 S- Prefix for Automotive and Other Applications Re

 7.1. Size:450K  lrc
 ln2306lt1g s-ln2306lt1g.pdf

S-LN2302BLT1G S-LN2302BLT1G

LN2306LT1GS-LN2306LT1G30V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET1. FEATURESVDS= 30VRDS(ON), VGS@10V, IDS@5.8A = 38m RDS(ON), VGS@4.5V, IDS@5.0A = 43mRDS(ON), VGS@2.5V, IDS@4.0A = 62mSOT23(TO-236) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free.S- prefix for automotive and other applications requiring

 8.1. Size:690K  lrc
 ln2312lt1g s-ln2312lt1g.pdf

S-LN2302BLT1G S-LN2302BLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET VDS= 20V LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@5.0A = 41m S-LN2312LT1GRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@4.5A = 47m Features 3Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance 1we declare that the material of product 2compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO236AB)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top