LN4501LT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LN4501LT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de LN4501LT1G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

LN4501LT1G datasheet

 ..1. Size:626K  lrc
 ln4501lt1g.pdf pdf_icon

LN4501LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel,SOT-23 APPLICATIONS LN4501LT1G 1) Load/Power Switch for Portables 2) Load/Power Switch for Computing 3 3) DC-DC Conversion FEATURES 1 1)Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 2 2)2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT 23 (TO 236AB) 3)SOT-23 Surface Mount for Small Footprin

Otros transistores... S-LN2302BLT1G, LN2302LT1G, LN2306LT1G, S-LN2306LT1G, LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, 8N60, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G, S-LNA2306LT1G, S-LNTA4001NT1G, LNTK2575LT1G, S-LNTK2575LT1G, LNTK3043PT5G