LN4501LT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LN4501LT1G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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LN4501LT1G Datasheet (PDF)
ln4501lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFET20 V, 3.2 A, Single N-Channel,SOT-23APPLICATIONSLN4501LT1G1) Load/Power Switch for Portables2) Load/Power Switch for Computing33) DC-DC ConversionFEATURES11)Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching22)2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveSOT 23 (TO236AB)3)SOT-23 Surface Mount for Small Footprin
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