LN4501LT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LN4501LT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для LN4501LT1G
LN4501LT1G Datasheet (PDF)
ln4501lt1g.pdf

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFET20 V, 3.2 A, Single N-Channel,SOT-23APPLICATIONSLN4501LT1G1) Load/Power Switch for Portables2) Load/Power Switch for Computing33) DC-DC ConversionFEATURES11)Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching22)2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveSOT 23 (TO236AB)3)SOT-23 Surface Mount for Small Footprin
Другие MOSFET... S-LN2302BLT1G , LN2302LT1G , LN2306LT1G , S-LN2306LT1G , LN2312LT1G , S-LN2312LT1G , LN2324DT2AG , LN235N3T5G , K2611 , LN8340DT1AG , LN8342DT1AG , LNA2306LT1G , S-LNA2306LT1G , S-LNTA4001NT1G , LNTK2575LT1G , S-LNTK2575LT1G , LNTK3043PT5G .
History: SI4966DY | BL12N60A-P | SIRA00DP | 9N80A | SLP5N60C | RFG70N06
History: SI4966DY | BL12N60A-P | SIRA00DP | 9N80A | SLP5N60C | RFG70N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet