LN4501LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LN4501LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для LN4501LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN4501LT1G даташит

 ..1. Size:626K  lrc
 ln4501lt1g.pdf pdf_icon

LN4501LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel,SOT-23 APPLICATIONS LN4501LT1G 1) Load/Power Switch for Portables 2) Load/Power Switch for Computing 3 3) DC-DC Conversion FEATURES 1 1)Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 2 2)2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT 23 (TO 236AB) 3)SOT-23 Surface Mount for Small Footprin

Другие IGBT... S-LN2302BLT1G, LN2302LT1G, LN2306LT1G, S-LN2306LT1G, LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, 8N60, LN8340DT1AG, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G, S-LNA2306LT1G, S-LNTA4001NT1G, LNTK2575LT1G, S-LNTK2575LT1G, LNTK3043PT5G