LN4501LT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LN4501LT1G
Маркировка: N45
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.25 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.4 nC
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 80 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для LN4501LT1G
LN4501LT1G Datasheet (PDF)
..1. Size:626K lrc
ln4501lt1g.pdf
ln4501lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFET20 V, 3.2 A, Single N-Channel,SOT-23APPLICATIONSLN4501LT1G1) Load/Power Switch for Portables2) Load/Power Switch for Computing33) DC-DC ConversionFEATURES11)Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching22)2.5 V Rated for Low Voltage Gate DriveSOT 23 (TO236AB)3)SOT-23 Surface Mount for Small Footprin
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
