LN8340DT1AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LN8340DT1AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN3030-8B

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LN8340DT1AG datasheet

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LN8340DT1AG

LN8340DT1AG N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 1. FEATURES Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. We declare that the material of product are Halogen Free and compliance with RoHS requirements. 2. APPLICATION Power Routing DC/DC Conversion Motor Drives 3. ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LN8340DT1AG N40 3000/Ta

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LN8340DT1AG

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