LN8340DT1AG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LN8340DT1AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN3030-8B

Аналог (замена) для LN8340DT1AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LN8340DT1AG даташит

 ..1. Size:2402K  lrc
 ln8340dt1ag.pdf pdf_icon

LN8340DT1AG

LN8340DT1AG N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 1. FEATURES Low RDS(on) trench technology. Low thermal impedance. Fast switching speed. We declare that the material of product are Halogen Free and compliance with RoHS requirements. 2. APPLICATION Power Routing DC/DC Conversion Motor Drives 3. ORDERING INFORMATION Device Marking Shipping LN8340DT1AG N40 3000/Ta

 9.1. Size:582K  lrc
 ln8342dt1ag.pdf pdf_icon

LN8340DT1AG

Другие IGBT... LN2302LT1G, LN2306LT1G, S-LN2306LT1G, LN2312LT1G, S-LN2312LT1G, LN2324DT2AG, LN235N3T5G, LN4501LT1G, P60NF06, LN8342DT1AG, LNA2306LT1G, S-LNA2306LT1G, S-LNTA4001NT1G, LNTK2575LT1G, S-LNTK2575LT1G, LNTK3043PT5G, S-LNTK3043PT5G