STK2N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STK2N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT82

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STK2N50

STK2N50 Datasheet (PDF)

9.1. Size:184K st
stk2n60.pdf

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2N80 800 V

9.2. Size:178K st
stk2n60-.pdf

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2NA60 600 V

9.3. Size:316K st
stk2n80.pdf

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2N80 800 V

9.4. Size:347K st
stk2na60.pdf

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2NA60 600 V

Otros transistores... STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , IRFB4227 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L .

Liste

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