Справочник MOSFET. STK2N50

 

STK2N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STK2N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT82
 

 Аналог (замена) для STK2N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STK2N50 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:184K  st
 stk2n60.pdf pdf_icon

STK2N50

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2N80 800 V

 9.2. Size:178K  st
 stk2n60-.pdf pdf_icon

STK2N50

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2NA60 600 V

 9.3. Size:316K  st
 stk2n80.pdf pdf_icon

STK2N50

STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2N80 800 V

 9.4. Size:347K  st
 stk2na60.pdf pdf_icon

STK2N50

STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2NA60 600 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , P55NF06 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L .

History: FDG6301N | ZVN3310F | APT1001RAN

 

 
Back to Top

 


 
.