STK2N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STK2N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: SOT82
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STK2N50 Datasheet (PDF)
stk2n60.pdf
STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2N80 800 V
stk2n60-.pdf
STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTK2NA60 600 V
stk2n80.pdf
STK2N80N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2N80 800 V
stk2na60.pdf
STK2NA60N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTK2NA60 600 V
Другие MOSFET... STK18N05 , STK18N05L , STK18N06 , STK18N06L , STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , IRF630 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , STK3N50 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L .
History: H7N0308LS | MTB30N06J3 | IXTH13N110 | EM6K34 | HGP480N15M | AP3407 | IXFP18N65X2
History: H7N0308LS | MTB30N06J3 | IXTH13N110 | EM6K34 | HGP480N15M | AP3407 | IXFP18N65X2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor