LNTK3043PT5G Todos los transistores

 

LNTK3043PT5G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNTK3043PT5G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.21 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT723
 

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LNTK3043PT5G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  lrc
 lntk3043pt5g s-lntk3043pt5g.pdf pdf_icon

LNTK3043PT5G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Power MOSFET20 V, 285 mA, P-Channel with ESDProtection, SOT-723LNTK3043PT5GFeaturesS-LNTK3043PT5G Enables High Density PCB Manufacturing 44% Smaller Footprint than SC-89 and 38% Thinner than SC-89V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Voltage Drive Makes this Device Ideal for Portable Equipment1.5 W @ 4.5 V Low Threshold Levels, VGS(TH)

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History: 18N25 | APT6029SLL | 45N20 | IPP120N08S4-03 | APT6025SFLLG

 

 
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