LP0404N3T5G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LP0404N3T5G
   Código: T5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.715 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 6 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT883

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LP0404N3T5G Datasheet (PDF)

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lp0404n3t5g.pdf

LP0404N3T5G20V, P-Channel (D-S) MOSFET1. FEATURESVDS = -20VRDS(ON)0.48,VGS@-4.5V,IDS@-780mARDS(ON)0.67,VGS@-2.5V,IDS@-660mARDS(ON)0.95,VGS@-1.8V,IDS@-100mARDS(ON)2.2,VGS@-1.5V,IDS@-100mASuper high density cell design for extremely low RDS(ON).Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.We declare that the material of pr

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Liste

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