LP0404N3T5G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LP0404N3T5G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.715 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 6 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm

Encapsulados: SOT883

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LP0404N3T5G datasheet

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LP0404N3T5G

LP0404N3T5G 20V, P-Channel (D-S) MOSFET 1. FEATURES VDS = -20V RDS(ON) 0.48 ,VGS@-4.5V,IDS@-780mA RDS(ON) 0.67 ,VGS@-2.5V,IDS@-660mA RDS(ON) 0.95 ,VGS@-1.8V,IDS@-100mA RDS(ON) 2.2 ,VGS@-1.5V,IDS@-100mA Super high density cell design for extremely low RDS(ON). Exceptional on-resistance and maximum DC current capability. We declare that the material of pr

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