S-LP1480WT1G Todos los transistores

 

S-LP1480WT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: S-LP1480WT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.29 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT323
 

 Búsqueda de reemplazo de S-LP1480WT1G MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

S-LP1480WT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:411K  lrc
 lp1480wt1g s-lp1480wt1g.pdf pdf_icon

S-LP1480WT1G

LP1480WT1GS-LP1480WT1G-20V P-Channel Power Mosfet1. FEATURESV(BR)DSS=-20VRDS(ON) 210m @VGS =-4.5V,ID=-1.0ARDS(ON) 310m @VGS =-2.5V,ID=-0.5AWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC70(SOT-323)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q

Otros transistores... S-LNA2306LT1G , S-LNTA4001NT1G , LNTK2575LT1G , S-LNTK2575LT1G , LNTK3043PT5G , S-LNTK3043PT5G , LP0404N3T5G , LP1480WT1G , AON7403 , LP2301BLT1G , LP2301BLT3G , S-LP2305DSLT1G , S-LP2307LT1G , LP2309LT1G , LP2309LT3G , LP2501DT1G , LP3218DT1G .

History: SPM1007 | AP3N2R2MT-L | SIE818DF | IXFK140N20P | VP2110

 

 
Back to Top

 


 
.