S-LP1480WT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: S-LP1480WT1G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.29 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
Тип корпуса: SOT323
Аналог (замена) для S-LP1480WT1G
S-LP1480WT1G Datasheet (PDF)
lp1480wt1g s-lp1480wt1g.pdf
LP1480WT1GS-LP1480WT1G-20V P-Channel Power Mosfet1. FEATURESV(BR)DSS=-20VRDS(ON) 210m @VGS =-4.5V,ID=-1.0ARDS(ON) 310m @VGS =-2.5V,ID=-0.5AWe declare that the material of product compliance withRoHS requirements and Halogen Free.SC70(SOT-323)S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918