2SK2040 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2040

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm

Encapsulados: TO252

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2SK2040 datasheet

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2SK2040

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2SK2040

Ordering number ENN4630 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2046 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2083B Low-voltage drive. [2SK2046] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SK2046] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.5

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2SK2040

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2SK2040

Ordering number ENN4286B 2SK2044LS N-Channel Silicon MOSFET 2SK2044LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2078C High-speed diode (trr=120ns). [2SK2044LS] Micaless package facilitating mounting. 10.0 4.5 3.2 2.8 0.9 1.2 1.2 0.75 0.7 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source Spe

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