2SK2040. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK2040

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 2SK2040

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK2040 даташит

 ..1. Size:398K  1
 2sk2040 2sk2040-z.pdf pdf_icon

2SK2040

 8.1. Size:88K  sanyo
 2sk2046.pdf pdf_icon

2SK2040

Ordering number ENN4630 N-Channel Silicon MOSFET 2SK2046 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2083B Low-voltage drive. [2SK2046] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.85 0.7 1.2 0.6 0.5 1 Gate 1 2 3 2 Drain 3 Source 2.3 2.3 SANYO TP unit mm 2092B [2SK2046] 6.5 2.3 5.0 0.5 4 0.5

 8.2. Size:100K  sanyo
 2sk2044.pdf pdf_icon

2SK2040

 8.3. Size:33K  sanyo
 2sk2044ls.pdf pdf_icon

2SK2040

Ordering number ENN4286B 2SK2044LS N-Channel Silicon MOSFET 2SK2044LS Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON-resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2078C High-speed diode (trr=120ns). [2SK2044LS] Micaless package facilitating mounting. 10.0 4.5 3.2 2.8 0.9 1.2 1.2 0.75 0.7 1 2 3 1 Gate 2 Drain 3 Source Spe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1989, 2SK1990, 2SK1991, 2SK1992, 2SK1993, 2SK1994, 2SK1995, 2SK2000-R, 2N7002, 2SK2051-L, 2SK2051-S, 2SK2053, 2SK2054, 2SK2055, 2SK2070, 2SK2090, 2SK2109