LRC6N33YT1G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LRC6N33YT1G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: DFN2020-6D

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LRC6N33YT1G datasheet

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LRC6N33YT1G

LRC6N33YT1G General Purpose Transistors with Power MOSFET 1. FEATURES ESD Protected 1500V High current capacity in compact package. Epitaxial planar type. Low threshold voltage (VGS(th) 0.9V...1.5V) DFN2020-6D makes it ideal for low voltage applications. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- pre

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