LRC6N33YT1G Todos los transistores

 

LRC6N33YT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LRC6N33YT1G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2020-6D
 

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LRC6N33YT1G Datasheet (PDF)

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 lrc6n33yt1g.pdf pdf_icon

LRC6N33YT1G

LRC6N33YT1GGeneral Purpose Transistors with Power MOSFET1. FEATURESESD Protected:1500VHigh current capacity in compact package.Epitaxial planar type.Low threshold voltage (VGS(th): 0.9V...1.5V)DFN2020-6Dmakes it ideal for low voltage applications.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements and Halogen Free. S- pre

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History: JMSH1008AE | FQB25N33TMF085 | VBZMB2N65 | 30N06G-TN3-R | AP4C205Y | ME80N75F-G | BTS247Z

 

 
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