5N65N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 5N65N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 14.5 nC
Tiempo de subida (tr): 16 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 53 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
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5N65N Datasheet (PDF)
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R5N65 5N65F 5N65D 5N65E 5N65M 5N65NS E M I C O N D U C T O R650V N-Channel Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYRDS(ON)
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