5N65N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 5N65N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для 5N65N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

5N65N даташит

 ..1. Size:1255K  jh
 5n65 5n65f 5n65d 5n65e 5n65m 5n65n.pdf pdf_icon

5N65N

R 5N65 5N65F 5N65D 5N65E 5N65M 5N65N S E M I C O N D U C T O R 650V N-Channel Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY RDS(ON)

Другие IGBT... 2N65F, 2N65E, 2N65D, 2N65N, 2N65M, 5N65D, 5N65E, 5N65M, IRLZ44N, 6N65F, 6N65D, LNB10R040W3, LNB20N60, LNB20N65, LNB4N80, LNC045R090, LNC04R035B