LNC045R090 Todos los transistores

 

LNC045R090 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNC045R090
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de LNC045R090 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LNC045R090 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:918K  lonten
lnc045r090 lng045r090 lnh045r090.pdf pdf_icon

LNC045R090

LNC045R090/LNG045R090/LNH045R090Lonten N-channel 45V, 70A, 9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 45VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 9mGStechnology. This advanced technology has been I 70ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and with

 9.1. Size:728K  lonten
lnc04r035b lnd04r035b.pdf pdf_icon

LNC045R090

LNC04R035B/ LND04R035BLonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.5mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withst

 9.2. Size:889K  lonten
lnc04r050.pdf pdf_icon

LNC045R090

LNC04R050Lonten N-channel 40V, 110A, 5.0m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 5.0mGStechnology. This advanced technology has been I 110ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high ener

Otros transistores... 5N65M , 5N65N , 6N65F , 6N65D , LNB10R040W3 , LNB20N60 , LNB20N65 , LNB4N80 , IRFB4227 , LNC04R035B , LNC04R050 , LNC06R062 , LNC06R079 , LNC06R110 , LNC06R140 , LNC06R200 , LNC06R230 .

History: 2SJ188 | AOWF12T60P | APG077N01G | ELM35601KA | AM60N04-12D | HY4504W | FTK7002D

 

 
Back to Top

 


 
.