STK3N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK3N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.6 Ohm
Encapsulados: SOT82
Búsqueda de reemplazo de STK3N50 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
STK3N50 datasheet
stk3na50.pdf
STK3NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STK3NA50 500 V
stk3na60.pdf
STK3NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STK3NA60 600 V
Otros transistores... STK22N05 , STK22N06 , STK23N05L , STK23N06L , STK2N50 , STK2N80 , STK2NA60 , STK3055E , 2N7000 , STK3NA50 , STK4N25 , STK4N30 , STK4N30L , STK4N40 , STK6N20 , STK9N10 , STP10NA40 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679