LNC04R035B Todos los transistores

 

LNC04R035B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNC04R035B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 150 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 139 nC
   Tiempo de subida (tr): 17 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 677 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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LNC04R035B Datasheet (PDF)

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LNC04R035B LNC04R035B

LNC04R035B/ LND04R035BLonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.5mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withst

 7.1. Size:889K  lonten
lnc04r050.pdf

LNC04R035B LNC04R035B

LNC04R050Lonten N-channel 40V, 110A, 5.0m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 5.0mGStechnology. This advanced technology has been I 110ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high ener

 9.1. Size:918K  lonten
lnc045r090 lng045r090 lnh045r090.pdf

LNC04R035B LNC04R035B

LNC045R090/LNG045R090/LNH045R090Lonten N-channel 45V, 70A, 9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 45VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 9mGStechnology. This advanced technology has been I 70ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and with

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