LNC04R035B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNC04R035B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 139 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 677 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNC04R035B
LNC04R035B Datasheet (PDF)
lnc04r035b lnd04r035b.pdf
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lnc04r050.pdf
LNC04R050Lonten N-channel 40V, 110A, 5.0m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 5.0mGStechnology. This advanced technology has been I 110ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high ener
lnc045r090 lng045r090 lnh045r090.pdf
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Liste
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