LNC04R050 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNC04R050
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 106 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 213.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410.4 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNC04R050

LNC04R050 Datasheet (PDF)

..1. Size:889K lonten
lnc04r050.pdf

LNC04R050Lonten N-channel 40V, 110A, 5.0m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 5.0mGStechnology. This advanced technology has been I 110ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high ener

7.1. Size:728K lonten
lnc04r035b lnd04r035b.pdf

LNC04R035B/ LND04R035BLonten N-channel 40V, 120A, 3.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 40VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 3.5mGStechnology. This advanced technology has been I 120ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withst

9.1. Size:918K lonten
lnc045r090 lng045r090 lnh045r090.pdf

LNC045R090/LNG045R090/LNH045R090Lonten N-channel 45V, 70A, 9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 45VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 9mGStechnology. This advanced technology has been I 70ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and with

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Liste

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