LNC16N60 Todos los transistores

 

LNC16N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNC16N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de LNC16N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LNC16N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1091K  lonten
 lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LNC16N60

LND16N60/LNC16N60Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

 7.1. Size:1111K  lonten
 lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LNC16N60

LND16N65/LNC16N65Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.9Cg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

Otros transistores... LNC08R220 , LNC10N60 , LNC10N65 , LNC10R040W3 , LNC10R180 , LNC12N60 , LNC12N65 , LNC13N50 , AON7410 , LNC16N65 , LNC18N50 , LNC20N60 , LNC20N65 , LNC2N60 , LNC2N65 , LNC4N60 , LNC4N65 .

History: WFP5N60B | IXFT13N100 | DMP4025LK3 | MS49P63 | IRFS9N60APBF | UTT4850G-S08-R | STU6N60DM2

 

 
Back to Top

 


 
.