LNC16N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNC16N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 53.9 nC
Tiempo de subida (tr): 41 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 235 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNC16N65
LNC16N65 Datasheet (PDF)
lnd16n65 lnc16n65.pdf
LND16N65/LNC16N65Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.9Cg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.
lnd16n60 lnc16n60.pdf
LND16N60/LNC16N60Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 5
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