LNC16N65 Todos los transistores

 

LNC16N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNC16N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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LNC16N65 Datasheet (PDF)

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 lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LNC16N65

LND16N65/LNC16N65Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.9Cg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

 7.1. Size:1091K  lonten
 lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LNC16N65

LND16N60/LNC16N60Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

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