LNC16N65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LNC16N65  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-220

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LNC16N65 datasheet

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LNC16N65

LND16N65/LNC16N65 Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.6 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.9C g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

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LNC16N65

LND16N60/LNC16N60 Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.5 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

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