LNC16N65 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNC16N65  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNC16N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC16N65 даташит

 ..1. Size:1111K  lonten
 lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LNC16N65

LND16N65/LNC16N65 Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.6 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.9C g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

 7.1. Size:1091K  lonten
 lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LNC16N65

LND16N60/LNC16N60 Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.5 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

Другие IGBT... LNC10N60, LNC10N65, LNC10R040W3, LNC10R180, LNC12N60, LNC12N65, LNC13N50, LNC16N60, SKD502T, LNC18N50, LNC20N60, LNC20N65, LNC2N60, LNC2N65, LNC4N60, LNC4N65, LNC4N80