Справочник MOSFET. LNC16N65

 

LNC16N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNC16N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для LNC16N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC16N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1111K  lonten
 lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LNC16N65

LND16N65/LNC16N65Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.9Cg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

 7.1. Size:1091K  lonten
 lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LNC16N65

LND16N60/LNC16N60Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 16ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 53.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

Другие MOSFET... LNC10N60 , LNC10N65 , LNC10R040W3 , LNC10R180 , LNC12N60 , LNC12N65 , LNC13N50 , LNC16N60 , IRF9540N , LNC18N50 , LNC20N60 , LNC20N65 , LNC2N60 , LNC2N65 , LNC4N60 , LNC4N65 , LNC4N80 .

History: P0990AU | OSG65R380FEF-NB | AUIRFSL4310 | 2SK1735 | 2SK388 | APT12F60K | SPB02N60S5

 

 
Back to Top

 


 
.