LNC18N50 Todos los transistores

 

LNC18N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNC18N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 232 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 284 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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LNC18N50 Datasheet (PDF)

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LNC18N50

LNC18N50/LND18N50Lonten N-channel 500V, 18A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 18ADresulting device has low conduction resistance, R 0.28DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 50.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =5

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History: SSF4015 | TK5A60W5 | 2SK455 | STK003SF | BLM80P10-P | SI2342DS-T1 | SIL3415

 

 
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