LNC18N50 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LNC18N50  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 232 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 284 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO-220

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LNC18N50 datasheet

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LNC18N50

LNC18N50/LND18N50 Lonten N-channel 500V, 18A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 18A D resulting device has low conduction resistance, R 0.28 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 50.5 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q =5

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