Справочник MOSFET. LNC18N50

 

LNC18N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LNC18N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 232 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 284 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для LNC18N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC18N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1262K  lonten
 lnc18n50 lnd18n50.pdf pdf_icon

LNC18N50

LNC18N50/LND18N50Lonten N-channel 500V, 18A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 18ADresulting device has low conduction resistance, R 0.28DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 50.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (typ. Q =5

Другие MOSFET... LNC10N65 , LNC10R040W3 , LNC10R180 , LNC12N60 , LNC12N65 , LNC13N50 , LNC16N60 , LNC16N65 , IRFB3607 , LNC20N60 , LNC20N65 , LNC2N60 , LNC2N65 , LNC4N60 , LNC4N65 , LNC4N80 , LNC5N50 .

History: ZXMN6A09KTC | AON6414AL | HUFA75433S3ST | RUF015N02TL | IRF1104L | EM6K7 | RUM003N02T2L

 

 
Back to Top

 


 
.