LNC18N50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LNC18N50  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 232 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 284 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO-220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LNC18N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNC18N50 даташит

 ..1. Size:1262K  lonten
 lnc18n50 lnd18n50.pdf pdf_icon

LNC18N50

LNC18N50/LND18N50 Lonten N-channel 500V, 18A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 500V DSS advanced planar VDMOS technology. The I 18A D resulting device has low conduction resistance, R 0.28 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 50.5 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q =5

Другие IGBT... LNC10N65, LNC10R040W3, LNC10R180, LNC12N60, LNC12N65, LNC13N50, LNC16N60, LNC16N65, K4145, LNC20N60, LNC20N65, LNC2N60, LNC2N65, LNC4N60, LNC4N65, LNC4N80, LNC5N50