LND06R062 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND06R062
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 45 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 130 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 393 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0062 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND06R062
LND06R062 Datasheet (PDF)
lnc06r062 lnd06r062 lne06r062.pdf
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LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit
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LNC06R079/LND06R079/LNE06R079Lonten N-channel 60V, 90A, 7.9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 60VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 7.9mGStechnology. This advanced technology has been I 90ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and wit
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Liste
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