Справочник MOSFET. LND06R062

 

LND06R062 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LND06R062
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для LND06R062

 

 

LND06R062 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1130K  lonten
 lnc06r062 lnd06r062 lne06r062.pdf

LND06R062 LND06R062

LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

 7.1. Size:1191K  lonten
 lnc06r079 lnd06r079 lne06r079.pdf

LND06R062 LND06R062

LNC06R079/LND06R079/LNE06R079Lonten N-channel 60V, 90A, 7.9m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 60VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 7.9mGStechnology. This advanced technology has been I 90ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and wit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top