LND06R062 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LND06R062  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LND06R062

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND06R062 даташит

 ..1. Size:1130K  lonten
 lnc06r062 lnd06r062 lne06r062.pdf pdf_icon

LND06R062

LNC06R062/LND06R062/LNE06R062 Lonten N-channel 60V, 120A, 6.2m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 60V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 6.2m technology. This advanced technology has been ID 120A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

 7.1. Size:1191K  lonten
 lnc06r079 lnd06r079 lne06r079.pdf pdf_icon

LND06R062

LNC06R079/LND06R079/LNE06R079 Lonten N-channel 60V, 90A, 7.9m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 60V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 7.9m GS technology. This advanced technology has been I 90A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and wit

Другие IGBT... LNC4N65, LNC4N80, LNC5N50, LNC5N65B, LNC7N60, LNC7N60D, LNC7N65D, LND04R035B, TK10A60D, LND06R079, LND08R055W3, LND08R085, LND10N60, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60