LND16N65 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

LND16N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LND16N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 44 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de LND16N65 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

LND16N65 datasheet

..1. Size:1111K lonten
lnd16n65 lnc16n65.pdf pdf_icon

LND16N65/LNC16N65 Lonten N-channel 650V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.6 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.9C g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 53.

7.1. Size:1091K lonten
lnd16n60 lnc16n60.pdf pdf_icon

LND16N60/LNC16N60 Lonten N-channel 600V, 16A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 16A D resulting device has low conduction resistance, R 0.5 DS(on),max superior switching performance and high avalanche Q 53.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge (typ. Q = 5

Otros transistores... LND10N60, LND10N65, LND10R040W3, LND10R180, LND12N60, LND12N65, LND13N50, LND16N60, 18N50, LND18N50, LND20N60, LND20N65, LND2N60, LND2N65, LND4N60, LND4N65, LND4N80

🌐 : EN ES РУ

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

LND16N65 Todos los transistores