LND20N65 Todos los transistores

 

LND20N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LND20N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 266 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

 Búsqueda de reemplazo de LND20N65 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LND20N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  lonten
 lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf pdf_icon

LND20N65

LNC20N65/LND20N65/LNB20N65Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 58.3 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (t

 7.1. Size:1196K  lonten
 lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf pdf_icon

LND20N65

LNC20N60/ LND20N60/LNB20N60Lonten N-channel 600V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.45DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 63.7 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

Otros transistores... LND10R180 , LND12N60 , LND12N65 , LND13N50 , LND16N60 , LND16N65 , LND18N50 , LND20N60 , IRFB31N20D , LND2N60 , LND2N65 , LND4N60 , LND4N65 , LND4N80 , LND5N50 , LND5N65B , LND7N60 .

History: 2SK1524 | PMPB48EP | BRCS070N03DP | 2N7002TC | CJQ9435 | IPA041N04NG

 

 
Back to Top

 


 
.