Справочник MOSFET. LND20N65

 

LND20N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LND20N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 58.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 43.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 266 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LND20N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LND20N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1197K  lonten
 lnc20n65 lnd20n65 lnb20n65.pdf pdf_icon

LND20N65

LNC20N65/LND20N65/LNB20N65Lonten N-channel 650V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 58.3 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge (t

 7.1. Size:1196K  lonten
 lnc20n60 lnd20n60 lnb20n60.pdf pdf_icon

LND20N65

LNC20N60/ LND20N60/LNB20N60Lonten N-channel 600V, 20A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 20ADresulting device has low conduction resistance, R 0.45DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 63.7 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

Другие MOSFET... LND10R180 , LND12N60 , LND12N65 , LND13N50 , LND16N60 , LND16N65 , LND18N50 , LND20N60 , IRFB31N20D , LND2N60 , LND2N65 , LND4N60 , LND4N65 , LND4N80 , LND5N50 , LND5N65B , LND7N60 .

 

 
Back to Top

 


 
.