LND5N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LND5N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LND5N65B
LND5N65B Datasheet (PDF)
lnc5n65b lnd5n65b lng5n65b lnh5n65b.pdf
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LNC5N65B\LND5N65B\LNG5N65B\LNH5N65BLonten N-channel 650V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 2.1DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 14.5 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate ch
lnc5n50 lnd5n50 lng5n50 lnh5n50.pdf
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LNC5N50\LND5N50\LNG5N50\LNH5N50Lonten N-channel 500V, 5A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 500VDSSadvanced planar VDMOS technology. The I 5ADresulting device has low conduction resistance, R 1.6DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 12.8 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge
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Liste
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