LNF10N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNF10N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34.64 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 144.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNF10N65

LNF10N65 Datasheet (PDF)

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LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65/LNDN10N65Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 10ADresulting device has low conduction resistance, R 1.0DS(on),maxsuperior switching performance and high avalanche Q 34.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on)

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LND10N65/LNC10N65/LNE10N65/LNF10N65 Lonten N-channel 650V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 1.0 superior switching performance and high avalanche Qg,typ 34.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

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LND10N60/LNC10N60/LNE10N60/LNF10N60 Lonten N-channel 600V, 10A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 600V advanced planer VDMOS technology. The ID 10A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 0.9 superior switching performance and high avalance Qg,typ 31.4 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate

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