LNH08R085 Todos los transistores

 

LNH08R085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNH08R085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

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LNH08R085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1232K  lonten
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LNH08R085

LNG08R085\LNH08R085 Lonten N-channel 80V, 70A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 70A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi

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History: SI3401 | JMSL0315ARD | STF22NM60N | WMQ55N04T1 | 4N65KL-TF3T-T | AP2302N-HF | 4N60KL-TF3T-T

 

 
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