LNH08R085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNH08R085
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 127 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
Búsqueda de reemplazo de LNH08R085 MOSFET
LNH08R085 Datasheet (PDF)
lng08r085 lnh08r085.pdf

LNG08R085\LNH08R085 Lonten N-channel 80V, 70A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 70A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi
Otros transistores... LNH05R230 , LNH06R062 , LNH06R079 , LNH06R110 , LNH06R140 , LNH06R200 , LNH06R230 , LNH06R310 , 5N65 , LNH2N60 , LNH2N65 , LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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