LNH08R085 Todos los transistores

 

LNH08R085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LNH08R085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de LNH08R085 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LNH08R085 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1232K  lonten
 lng08r085 lnh08r085.pdf pdf_icon

LNH08R085

LNG08R085\LNH08R085 Lonten N-channel 80V, 70A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 80V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8.5m technology. This advanced technology has been ID 70A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand hi

Otros transistores... LNH05R230 , LNH06R062 , LNH06R079 , LNH06R110 , LNH06R140 , LNH06R200 , LNH06R230 , LNH06R310 , 5N65 , LNH2N60 , LNH2N65 , LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D .

History: K2611SB | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | 5P40 | 2N6917 | QM3802S

 

 
Back to Top

 


 
.