LNH2N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LNH2N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNH2N60

LNH2N60 Datasheet (PDF)

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LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 600VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 4.5DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate charge

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LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 2A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 5.2 superior switching performance and high avalance Qg,typ 10.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge

8.2. Size:1401K lonten
lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65 lnu2n65.pdf

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65/LNU2N65Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFETDescription Product SummaryThe Power MOSFET is fabricated using the V 650VDSSadvanced planer VDMOS technology. The I 2ADresulting device has low conduction resistance, R 5.2DS(on),maxsuperior switching performance and high avalance Q 10.2 nCg,typenergy.Features Low RDS(on) Low gate

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