LNH2N60 - описание и поиск аналогов

 

LNH2N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LNH2N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для LNH2N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LNH2N60 даташит

 ..1. Size:1336K  lonten
lnd2n60 lnc2n60 lng2n60 lnh2n60.pdfpdf_icon

LNH2N60

LND2N60/LNC2N60/LNG2N60/LNH2N60 Lonten N-channel 600V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 600V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 2A D resulting device has low conduction resistance, R 4.5 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 10.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate charge

 8.1. Size:1015K  lonten
lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65.pdfpdf_icon

LNH2N60

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the VDSS 650V advanced planer VDMOS technology. The ID 2A resulting device has low conduction resistance, RDS(on),max 5.2 superior switching performance and high avalance Qg,typ 10.2 nC energy. Features Low RDS(on) Low gate charge

 8.2. Size:1401K  lonten
lnd2n65 lnc2n65 lng2n65 lnh2n65 lnu2n65.pdfpdf_icon

LNH2N60

LND2N65/LNC2N65/LNG2N65/LNH2N65/LNU2N65 Lonten N-channel 650V, 2A Power MOSFET Description Product Summary The Power MOSFET is fabricated using the V 650V DSS advanced planer VDMOS technology. The I 2A D resulting device has low conduction resistance, R 5.2 DS(on),max superior switching performance and high avalance Q 10.2 nC g,typ energy. Features Low R DS(on) Low gate

Другие MOSFET... LNH06R062 , LNH06R079 , LNH06R110 , LNH06R140 , LNH06R200 , LNH06R230 , LNH06R310 , LNH08R085 , 10N65 , LNH2N65 , LNH4N60 , LNH4N65 , LNH4N80 , LNH5N50 , LNH5N65B , LNH7N60D , LNH7N65D .

History: LNH2N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.