LNSA3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNSA3400
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.35 V
Carga de la puerta (Qg): 13.6 nC
Tiempo de subida (tr): 113.2 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62.4 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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LNSA3400 Datasheet (PDF)
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LNSA3400Lonten N-channel 30V, 5.8A, 26m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 30VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 26mGStechnology. This advanced technology has been I 5.8ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy
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