LNSA3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNSA3400
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 113.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de LNSA3400 MOSFET
LNSA3400 Datasheet (PDF)
lnsa3400.pdf

LNSA3400Lonten N-channel 30V, 5.8A, 26m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 30VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 26mGStechnology. This advanced technology has been I 5.8ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy
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History: RJK6012DPE | AP2R803GJB | P6006HV | SSM2306GN | MPVP20N65F | 2N65KL-TF2-T | SIHFPC40
History: RJK6012DPE | AP2R803GJB | P6006HV | SSM2306GN | MPVP20N65F | 2N65KL-TF2-T | SIHFPC40



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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