LNSC2302 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNSC2302
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.2 V
Carga de la puerta (Qg): 3.2 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 50 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
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LNSC2302 Datasheet (PDF)
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LNSC2302 Lonten N-channel 20V, 4A, 42m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field VDSS 20V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=4.5V 42m technology. This advanced technology has been ID 4A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy puls
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