LNSC3400 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNSC3400
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.35 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13.6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 113.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LNSC3400
LNSC3400 Datasheet (PDF)
lnsc3400.pdf
LNSC3400Lonten N-channel 30V, 5.8A, 26m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 30VDSSeffect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 26mGStechnology. This advanced technology has been I 5.8ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withstand high energy
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