LNSC3400 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LNSC3400
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 113.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62.4 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de LNSC3400 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
LNSC3400 datasheet
lnsc3400.pdf
LNSC3400 Lonten N-channel 30V, 5.8A, 26m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 30V DSS effect transistors are using trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 26m GS technology. This advanced technology has been I 5.8A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high energy
Otros transistores... LNN04R040B , LNN04R050 , LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 , 7N60 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 , LPSC3481 , LPSC3487 , LSB55R050GT .
History: LNND04R120 | NTR4171P | SVT03110PL3 | FDS8949F085 | S8045R
History: LNND04R120 | NTR4171P | SVT03110PL3 | FDS8949F085 | S8045R
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c4468 datasheet | 2sc2603 | jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y
