LPSC2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPSC2301
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de LPSC2301 MOSFET
LPSC2301 Datasheet (PDF)
lpsc2301.pdf

LPSC2301 Lonten P-channel -20V, -2A, 110m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -20V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=-4.5V 110m technology. This advanced technology has been ID -2A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high ener
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History: FQN1N60CTA | SE630K | 2SK2673 | AP40P03GH-HF | TPA80R250A | TPP80R250A
History: FQN1N60CTA | SE630K | 2SK2673 | AP40P03GH-HF | TPA80R250A | TPP80R250A



Liste
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