LPSC2301 Todos los transistores

 

LPSC2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPSC2301
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51.7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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LPSC2301 Datasheet (PDF)

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LPSC2301

LPSC2301 Lonten P-channel -20V, -2A, 110m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -20V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=-4.5V 110m technology. This advanced technology has been ID -2A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high ener

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History: 2SK557 | NCE01H11 | KSS138 | PSMN9R0-30LL | BLS70R420-U | IPB200N25N3G | NCE60P82A

 

 
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