LPSC2301 Todos los transistores

 

LPSC2301 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LPSC2301

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 51.7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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LPSC2301 datasheet

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LPSC2301

LPSC2301 Lonten P-channel -20V, -2A, 110m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -20V effect transistors are using trench DMOS RDS(on).max@ VGS=-4.5V 110m technology. This advanced technology has been ID -2A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand high ener

Otros transistores... LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , IRF9640 , LPSC3481 , LPSC3487 , LSB55R050GT , LSB55R066GT , LSB55R140GF , LSB55R140GT , LSB60R030HT , LSB60R039GT .

History: MPG150N10P

 

 

 


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