LPSC3487 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPSC3487
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.3 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 14.8 nC
Tiempo de subida (tr): 31.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 103 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LPSC3487
LPSC3487 Datasheet (PDF)
lpsc3487.pdf
LPSC3487 Lonten P-channel -30V, -4.3A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been ID -4.3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
lpsc3481.pdf
LPSC3481 Lonten P-channel -30V, -4.0A, 50m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 50m technology. This advanced technology has been ID -4.0A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
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