LPSC3487 Todos los transistores

 

LPSC3487 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LPSC3487

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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LPSC3487 datasheet

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LPSC3487

LPSC3487 Lonten P-channel -30V, -4.3A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field V DSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been I D -4.3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

 7.1. Size:658K  lonten
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LPSC3487

LPSC3481 Lonten P-channel -30V, -4.0A, 50m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field V DSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 50m technology. This advanced technology has been I D -4.0A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

Otros transistores... LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 , LPSC3481 , AON7403 , LSB55R050GT , LSB55R066GT , LSB55R140GF , LSB55R140GT , LSB60R030HT , LSB60R039GT , LSB60R066GT , LSB60R070HT .

History: APM4835 | SP2110 | LPSC2301 | MPG150N10P

 

 

 

 

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