LPSC3487 Todos los transistores

 

LPSC3487 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPSC3487
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

 Búsqueda de reemplazo de LPSC3487 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LPSC3487 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:633K  lonten
 lpsc3487.pdf pdf_icon

LPSC3487

LPSC3487 Lonten P-channel -30V, -4.3A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been ID -4.3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

 7.1. Size:658K  lonten
 lpsc3481.pdf pdf_icon

LPSC3487

LPSC3481 Lonten P-channel -30V, -4.0A, 50m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 50m technology. This advanced technology has been ID -4.0A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

Otros transistores... LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 , LPSC3481 , EMB04N03H , LSB55R050GT , LSB55R066GT , LSB55R140GF , LSB55R140GT , LSB60R030HT , LSB60R039GT , LSB60R066GT , LSB60R070HT .

History: BSZ068N06NS | WMK18N50C4 | WMK28N50C4 | NCE1507AK | WML18N50C4 | IPA105N15N3G | NVTFS4C06N

 

 
Back to Top

 


 
.