LSC55R140GF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSC55R140GF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 205 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76.2 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Encapsulados: TO-220
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LSC55R140GF datasheet
lsb55r140gf lsc55r140gf lsd55r140gf lse55r140gf lsf55r140gf.pdf
LSB55R140GF/LSC55R140GF/LSD55R140GF/ LSE55R140GF/LSF55R140GF LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which
lsb55r140gt lsd55r140gt lse55r140gt lsf55r140gt lsc55r140gt.pdf
LSB55R140GT/LSD55R140GT/LSE55R140GT/ LSF55R140GT/LSC55R140GT LonFET Lonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.14 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 69A DM especially suitable for applications which
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