LSC70R640GT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LSC70R640GT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.64 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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LSC70R640GT Datasheet (PDF)

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lsc70r640gt lsd70r640gt lsg70r640gt lsh70r640gt lsf70r640gt.pdf

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8.1. Size:1391K lonten
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