Справочник MOSFET. LSC70R640GT

 

LSC70R640GT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LSC70R640GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.64 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для LSC70R640GT

 

 

LSC70R640GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1238K  lonten
 lsc70r640gt lsd70r640gt lsg70r640gt lsh70r640gt lsf70r640gt.pdf

LSC70R640GT LSC70R640GT

LSC70R640GT/LSD70R640GT/LSG70R640GT/ LSH70R640GT/LSF70R640GT LonFET Lonten N-channel 700V, 7A, 0.64 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.64 device has extremely low on resistance, making it IDM 21A especially suitable for applications whic

 8.1. Size:1391K  lonten
 lsc70r380gt lsd70r380gt lse70r380gt lsf70r380gt lsg70r380gt.pdf

LSC70R640GT LSC70R640GT

LSC70R380GT/LSD70R380GT/LSE70R380GT/LSF70R380GT/LSG70R380GTLonFETLonten N-channel 700V, 11A, 0.38 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 750VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.38DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 30ADMespecially suitable for applications which

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top