LSC70R640GT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LSC70R640GT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.2 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 23 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.64 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для LSC70R640GT
LSC70R640GT Datasheet (PDF)
lsc70r640gt lsd70r640gt lsg70r640gt lsh70r640gt lsf70r640gt.pdf
LSC70R640GT/LSD70R640GT/LSG70R640GT/ LSH70R640GT/LSF70R640GT LonFET Lonten N-channel 700V, 7A, 0.64 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using VDS @ Tj,max 750V advanced super junction technology. The resulting RDS(on),max 0.64 device has extremely low on resistance, making it IDM 21A especially suitable for applications whic
lsc70r380gt lsd70r380gt lse70r380gt lsf70r380gt lsg70r380gt.pdf
LSC70R380GT/LSD70R380GT/LSE70R380GT/LSF70R380GT/LSG70R380GTLonFETLonten N-channel 700V, 11A, 0.38 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 750VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.38DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 30ADMespecially suitable for applications which
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
