STP21N06L Todos los transistores

 

STP21N06L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP21N06L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 21 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 370 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.17 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP21N06L datasheet

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STP21N06L

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N06L 60 V

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STP21N06L

STP21N06L STP21N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N06L 60 V

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STP21N06L

STP21N05L STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP21N05L 50 V

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STP21N06L

STP21N05L STP21N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP21N05L 50 V

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