STP21N06L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP21N06L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 370 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP21N06L Datasheet (PDF)
stp21n06l.pdf

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N06L 60 V
stp21n06.pdf

STP21N06LSTP21N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N06L 60 V
stp21n05.pdf

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP21N05L 50 V
stp21n05l.pdf

STP21N05LSTP21N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP21N05L 50 V
Другие MOSFET... STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP80NF70 , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI , STP2N60 , STP2N60FI , STP2N80 .
History: 2SJ194 | TPCC8084 | SGS150MA010D1 | IRFU014A | TPM1012R3 | AP3C023AMT | IXFP18N65X2
History: 2SJ194 | TPCC8084 | SGS150MA010D1 | IRFU014A | TPM1012R3 | AP3C023AMT | IXFP18N65X2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l