LSG50R160HT Todos los transistores

 

LSG50R160HT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LSG50R160HT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO-252

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LSG50R160HT datasheet

 ..1. Size:1107K  lonten
 lsd50r160ht lsg50r160ht lsh50r160ht lsf50r160ht lse50r160ht.pdf pdf_icon

LSG50R160HT

LSD50R160HT/LSG50R160HT/LSH50R160HT/LSF50R160HT/LSE50R160HT LonFET Lonten N-channel 500V, 20A, 0.16 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 550V DS j,max advanced super junction technology. The resulting R 0.16 DS(on),max device has extremely low on resistance, making it I 60A DM especially suitable for applications which r

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